[1]1981/09-1986/07，清华大学物理系，大学本科/学士； [2]1987/10-1993/03，日本北海道大学工学院，博士课程/工学博士；’ 工作经历 [1]1993/04-1995/09，北海道大学，量子界面研究中心，日立特聘研究员； [2]1995/10-1997/09，纽约市立大学，化学系博士后研究员； [3]1997/10-2000/6，富士通量子器件（北美）公司；研发经理； [4]2000/07-2005/04，MultiplexInc.，硅谷研发中心主任； [5]2005/05-2016/12，大连艾科科技开发有限公司和微波光电子工程研究中心，总裁、主任； [6]2017/01-至今，南京航空航天大学，机电学院，教授； [7]2021/01-至今，海南大学，土木建筑工程学院，兼职教授。 代表性成果 1.BingXiongYangandHidekiHasegawa,"Migration–EnhancedEpitaxyofInPUsingPolycrystallineInPasPhosphorusSource",Jpn.J.Appl.Phys.Vol.30pp.3782–3787(1991) 2.BingXiongYangandHidekiHasegawa,"MolecularBeamEpitaxyandMigration–EnhancedEpitaxialGrowthofInPUsingPolycrystallineInPasPhosphorusSource",Jpn.J.Appl.Phys.Vol.32,pp.704–710,(1993) 3.BingXiongYangandHidekiHasegawa,"EffectsofPhosphorusPressureonGrowthRateandLayerQualityofInPGrownbyGasSourceMolecularBeamEpitaxy",Jpn.J.Appl.Phys.,Vol.33,pp.742–748,(1994) 4.B.X.Yang,T.Ozeki,Y.IshikawaandH.Hasegawa"ScanningTunnelingMicroscopyStudyofInPSurfacereconstructionGrownbyMOMBE",Jpn.J.Appl.Phys.,Vol.35,No.2,(1996) 5.，Zeng,L.;Yang,B.X.;Shewareged,B.;Tamargo,M.C.;Wan,J.Z.;Pollak,FredH.;Snoeks,E.;Zhao,L,DeterminationofdefectdensityinZnCdMgSelayersgrownonInPusingachemicaletchJournalofAppliedPhysics82,3306(1997) 6.工业专利30多个。