需求领域：制造业;先进制造
背景＆内容：无
需解决的主要技术难题：1.解决的主要技术问题；在封装设计方面，通过搭建机、电、热和磁集成仿真平台，并结合材料与工艺，对模块布局进行三维温度场、电磁场和应力场综合设计。2.开展的共性技术研究；搭建机、电、热和磁集成仿真平台，对模块布局进行三维温度场、电磁场和应力场综合设计，实现IGBT模块可靠性提升能力。3.实现场景的示范作用。提高IGBT模块可靠性和寿命长的同时获得最佳的性价比：以经过优化的AlSiC基板和Si3N4陶瓷的组合来提供最低的分层效应；使用间距物进一步减轻分层效应；每相采用独立的DCB陶瓷，以得到优化的热耦合和热扩散特性；以被直接冷却的基板为功率半导体和散热媒质之间提供最低的热阻。采用此方法，能使Tj降低超过30K（取决于负载条件和芯片配置）；以改进的绑定线工艺增强功率循环能力；选择适当的塑料材料和经过优化的工艺参数来避免在温度大幅度摆动下出现破裂；预成型的功率端子能避免在生产过程中出现微裂痕。