中图分类：TB43

学科分类：410.70

成果类别：应用技术

研究起止时间：2007-01～2008-12

评价形式：验收

分别采用等离子浸没离子注入和沉积（plasma immersion ion implantation and deposition,PIIID）以及直流磁过滤阴极真空弧源沉积（Direct current magnetic filter cathodic vacuum arc deposition, DC-MFCVAD）的方法在室温下合成N、O元素掺杂的类金刚石（Diamond-Like carbon, DLC）薄膜以及在不同的负偏压合成系列DLC薄膜。合成过程中均采用高频脉冲负偏压制备基础层、直流负偏压制备外层的方法,利用脉冲偏压产生的注入效应提高膜基结合力。通过改变通入真空室氮气或氧气流量的大小合成出系列的DLC薄膜。 耐磨性好,因此可用于耐磨损、耐腐蚀的工业领域,如硬盘,磁头等。生物相容性能优良,可作为人工关节、心脏瓣膜植入体等生物医用材料的候选材料。