中图分类：TB43

学科分类：410.70

成果类别：基础理论

成果水平：未评价

研究起止时间：2012-01～2013-12

评价形式：验收

NiFe作为一种传统的各向异性磁电阻材料,具有优异的软磁性能和较好的磁各向异性,这使其在地磁导航领域取得了重要应用。近年来,由于对地磁场研究的日益重视,作为非常重要的一类地磁探测材料和器件,NiFe各向异性磁电阻薄膜材料和器件又引起了人们强烈的研究兴趣。但由于NiFe其基于各向异性磁电阻效应的物理机制,使得磁电阻效应偏低或磁场灵敏度偏小。如何提高其磁电阻效应成为应用关键。 本项目在传统Ta/NiFe/Ta薄膜基础上,通过在NiFe上下界面处引入不同种类的插层来调控NiFe界面结构,以提高NiFe材料磁电阻性能。本项目利用磁控溅射方法制备薄膜,并利用真空退火炉对样品进行真空磁场下退火,利用高分辨透射电镜等分析测试方法对样品微结构进行了表征。本研究的创新之处在于：不仅通过调控MgO插层性能等界面调控方法,成功制备出具有综合磁学性能良好的NiFe磁电阻薄膜材料,而且利用多种微结构研究手段,在纳米尺度上表征具有高灵敏度的NiFe薄膜中的原子扩散、界面反应、形成合金相等微结构,建立起磁性能和微结构之间的联系,同时阐明了界面调控对超薄NiFe薄膜磁性及微结构影响及微观机理。项目实施为超高灵敏度NiFe磁电阻薄膜材料的实用化提供了实验和科学依据。