杨炳雄

教授，博士生导师

杨炳雄，男，1965年生，陕西凤翔人，1986年本科毕业于清华大学物理系，1993年日本北海道大学电气工程博士课程毕业。历任北海道大学日立特聘研究员，纽约市立大学博士后研究员，富士通量子器件公司北美研发经理和美国Multiplex公司硅谷研发中心主任。2005年4月回国创立大连艾科科技开发有限公司，任总裁。2017年加入南京航空航天大学，任机电学院教授。2021年任海南大学土木工程建筑学院兼职教授。

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研究方向

[1] 半导体原子层结晶生长机制；

[2] 高速半导体光电器件和物理；

[3] 物质的激光光谱学；

[4] 光纤传感物理和应用；

[5] 单光子传感技术；

[6] 激光精密测量技术。

科研情况

完成多项国家发改委、辽宁省和大连市发改委，经信委的产业化项目，产品在光通讯领域和气体安全领域得到广泛应用。

研究生招生方向

高精度激光器调制和控制技术；土木结构领域的光纤光栅技术。

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学习经历

[1] 1981/09-1986/07，清华大学物理系，大学本科/学士；

[2] 1987/10-1993/03，日本北海道大学工学院，博士课程/工学博士；’

工作经历

[1] 1993/04-1995/09，北海道大学，量子界面研究中心，日立特聘研究员；

[2] 1995/10-1997/09，纽约市立大学，化学系博士后研究员；

[3] 1997/10-2000/6，富士通量子器件（北美）公司；研发经理；

[4] 2000/07-2005/04，Multiplex Inc.，硅谷研发中心主任；

[5] 2005/05-2016/12，大连艾科科技开发有限公司和微波光电子工程研究中心，总裁、主任；

[6] 2017/01-至今，南京航空航天大学，机电学院，教授；

[7] 2021/01-至今，海南大学，土木建筑工程学院，兼职教授。

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代表性成果

1. Bing Xiong Yang and Hideki Hasegawa, "Migration–Enhanced Epitaxy of InP Using Polycrystalline InP as Phosphorus Source", Jpn. J. Appl. Phys. Vol.30 pp.3782–3787 (1991)

2. Bing Xiong Yang and Hideki Hasegawa, "Molecular Beam Epitaxy and Migration–Enhanced Epitaxial Growth of InP Using Polycrystalline InP as Phosphorus Source", Jpn. J. Appl. Phys. Vol.32, pp.704–710, (1993)

3. Bing Xiong Yang and Hideki Hasegawa, "Effects of Phosphorus Pressure on Growth Rate and Layer Quality of InP Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy", Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 33, pp.742–748, (1994)

4. B.X. Yang, T. Ozeki, Y. Ishikawa and H. Hasegawa "Scanning Tunneling Microscopy Study of InP Surface reconstruction Grown by MOMBE", Jpn. J. Appl. Phys., Vol.35, No. 2, (1996)

5. ，Zeng, L.; Yang, B. X.; Shewareged, B.; Tamargo, M. C.; Wan, J. Z.; Pollak, Fred H.; Snoeks, E.; Zhao, L, Determination of defect density in ZnCdMgSe layers grown on InP using a chemical etch Journal of Applied Physics 82, 3306 (1997)

6. 工业专利30多个。