等离子发射聚焦氙离子束双束系统

1.型号：Helios 5 PFIB UXe

2.设备用途与功能：

2.1 用于金属、半导体、电介质、多层膜结构，地质化石等固体样品上制备微纳结构；

2.2 高质量定点制备没有镓污染的TEM样品；

2.3 化学和晶体结构大体积三维形态分析；

2.4 离子束刻蚀、离子束沉积、电子束沉积。

2.5 高速切割。等离子发射聚焦氙离子束的切割速度是传统镓聚焦离子束的40倍以上，而且可避免样品的镓离子污染。

3. 技术规格

3.1 离子束系统规格

3.1.1 Xe离子束分辨率：10 nm at 30 kV

3.1.2 Xe离子束流强度：1.5 pA to 2.5μA

3.1.3 离子束加速电压范围：500 V-30 kV

3.2 电子束系统规格

3.2.1 电子束分辨率

在最优工作距离：0.6 nm @ 2kV-15 kV; 0.7 nm @ 1 kV; 1.0 nm @500 V

在离子束交汇点工作距离：0.6nm @15kV; 1.0nm @ 2kV; 1.2nm @ 1kV

3.2.2 着陆能量：50 eV - 30 keV

3.2.3 电子束束流强度：0.8 pA – 100 nA

3.3样品室

3.3.1 大样品仓，仓门内径：≥379 mm

3.3.2 附件/探测器接口数量：≥21个

3.3.3 配备集成的等离子清洗系统，用于去除样品表面及样品室的污染

3.4样品台及样品座

3.4.1 配备高精度5轴电动样品台，XYR轴采用压电陶瓷驱动；

3.4.2 X、Y方向移动范围：≥150 mm；Z方向移动范围：≥10mm

3.4.3 样品台倾斜范围：-38°到﹢60°

3.4.4 样品台R方向旋转范围：360°连续旋转

3.4.5 样品台重复精度不大于1微米。

3.5辅助气体注入系统

3.5.1 可在离子束或电子束诱导下进行气体的沉积

3.5.2 配备沉积气体：W沉积气体和C沉积气体；

3.6 探测器

3.6.1 极靴内低位探测器（二次电子和背散射电子模式）

3.6.2 样品室内传统二次电子探测器

3.6.3 镜筒内高位电子探头

3.6.4 样品仓红外CCD相机

3.6.5 样品仓彩色光学导航相机

3.6.6 可伸缩性多分割定向背散射电子探测器

3.6.7 可伸缩11分割STEM探头：具有明场像BF，4个不同固体角暗场像DF1、DF2、DF3、DF4，6个扇形分割的高角度环形暗场像HAADF

3.7 应用功能

3.7.1 具有原厂主机软件集成原位样品自动提出系统，用于制备好透射电镜样品后提出。

3.7.2 具备可直接导入Bitmap/CAD文件，按照预先设定的间距，进行自动交替的离子束和束流沉积，加工复杂图形的能力。

3.7.3 配备自动获取图像并自动拼接超大尺寸图片功能。

3.7.4 配备自动TEM样品制备软件：可实现全自动控制TEM样品制备过程，包括自动控制机械手的伸缩、样品与针尖的焊接、样品减薄、低电压清洗样品非晶区、以及样品的提出及转移焊接至支架的整个制备过程。

3.7.5 配备自动连续切片与图像、能谱、EBSD三维数据自动记录功能，配备三维数据重构软件。

3.8 配备快速EBSD，EDX分析功能，可实现样品的相组成、取向、成分的高效高分辨率分析

存放地点：海南大学（海甸校区）8号教学楼

联系人：符老师,周老师

联系电话：152-6706-0477,184-8734-1826