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设备型号:Talos F200X G2
生产厂家:Thermo scientific
主要规格及技术指标:
技术参数
1 分辨率
1.1 信息分辨率:≤0.12nm
1.2 点分辨率:≤0.25nm
1.3 洛伦兹分辨率:≤2.5nm
2 加速电压
2.1 加速电压:最高200kV;最低至少20kV
2.2 加速电压全程范围内切换仅需通过软件控制完成
2.3 高压稳定性:≤1ppm/10min
3 电子枪
3.1 电子枪类型:肖特基场发射电子枪,电子枪亮度:1.8×109 A/cm2srad
3.2 束流:1nm 束斑电流≥1.5nA; 最大束流≥50nA@200kV
3.3 束斑漂移:<1nm/min
3.4 最小能量分辨率:≤0.8eV
4 TEM放大系统
4.1 放大倍数:25~1,050,000倍
4.2 放大倍数重复性:<1.5%
5扫描透射(STEM)
5.1分辨率:≤0.16nm
5.2探头:高角环形暗场探头(HAADF)
5.3明场(BF)八分割探测器/暗场(DF)八分割探测器/DPC/iDPC
5.4 STEM放大倍数:310~250M倍
5.5 TEM与STEM模式相互切换后所需热稳定时间小于30秒
主要功能及特色
场发射透射电子显微镜配备了STEM、EDX、CMOS、洛伦兹透镜等附件,能采集TEM明场、暗场像和高分辨像,可通过形貌分析获得样品(包括高分子、金属、陶瓷、复合材料等)形貌、粒径、分散性等相关信息。能进行选区电子衍射和汇聚束衍射,观察样品结构并进行纳米尺度的微分析。能进行EDX能谱分析和高分辨STEM原子序数像的分析。
存放地点:分析测试中心106室
联系人:李老师
联系电话:182-7315-7634