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设备型号：Talos F200X G2

生产厂家：Thermo scientific

主要规格及技术指标：

技术参数

1 分辨率

1.1 信息分辨率：≤0.12nm

1.2 点分辨率：≤0.25nm

1.3 洛伦兹分辨率：≤2.5nm

2 加速电压

2.1 加速电压：最高200kV；最低至少20kV

2.2 加速电压全程范围内切换仅需通过软件控制完成

2.3 高压稳定性：≤1ppm/10min

3 电子枪

3.1 电子枪类型：肖特基场发射电子枪，电子枪亮度：1.8×109 A/cm2srad

3.2 束流：1nm 束斑电流≥1.5nA; 最大束流≥50nA@200kV

3.3 束斑漂移：<1nm/min

3.4 最小能量分辨率：≤0.8eV

4 TEM放大系统

4.1 放大倍数：25~1,050,000倍

4.2 放大倍数重复性：<1.5%

5扫描透射(STEM)

5.1分辨率：≤0.16nm

5.2探头：高角环形暗场探头（HAADF）

5.3明场（BF）八分割探测器/暗场（DF）八分割探测器/DPC/iDPC

5.4 STEM放大倍数：310~250M倍

5.5 TEM与STEM模式相互切换后所需热稳定时间小于30秒

主要功能及特色

场发射透射电子显微镜配备了STEM、EDX、CMOS、洛伦兹透镜等附件，能采集TEM明场、暗场像和高分辨像，可通过形貌分析获得样品（包括高分子、金属、陶瓷、复合材料等）形貌、粒径、分散性等相关信息。能进行选区电子衍射和汇聚束衍射，观察样品结构并进行纳米尺度的微分析。能进行EDX能谱分析和高分辨STEM原子序数像的分析。

存放地点：分析测试中心106室

联系人：李老师

联系电话：182-7315-7634